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上海市2024年度“科技创新行动计划”超导领域技术攻关项目申报通知
发布日期:2024-09-15    发布人:科研处

各二级单位,机关及直属各部门:

上海市科委发布《上海市2024年度“科技创新行动计划”超导领域技术攻关项目申报指南的通知》。具体通知如下:

一、征集范围

  专题一、超导材料技术(企业牵头)

  方向1:基于离子辐照的超导带材强场性能提升技术研究

  方向2:强场动态磁体用超导带材性能提升技术研究

  方向3:大尺寸超导靶材批量化制备技术研究

专题二、超导磁体技术

  方向4:高温超导中心螺线管模型磁体交流损耗特性研究

  研究目标:厘清高温超导中心螺线管磁体交流损耗形成机制,研制聚变用模型磁体,20K下最高磁场>10T,自场磁体变化率>3T/s,背景磁场变化率>0.15T/s,新型结构磁体交流损耗下降70%以上。

  研究内容:开展高温超导聚变中心螺线管模型磁体的电磁特性模拟与结构综合优化,获取磁体核心工艺窗口并试制模型磁体,研究磁体交流损耗形成机制,搭建交流损耗测试平台并进行验证。

  经费额度:非定额资助,拟支持不超过1个项目,资助额度不超过500万元。

  执行期限:2024年12月1日至2026年11月30日。

  方向5:20K温区高效制冷机技术研究

研究目标:开展20K温区制冷机研制,实现单台制冷量>50W、比卡诺效率>8.5%、无故障运行时间>10000小时,制备样机并开展应用验证。

  研究内容:研究20K制冷循环损失机理、高效优化设计策略、故障和失效模式以及长寿命保障措施,研制20K制冷机并开展应用验证。

  经费额度:非定额资助,拟支持不超过2个项目,每项资助额度不超过200万元。

  执行期限:2024年12月1日至2026年11月30日。

 专题三、超导应用技术

  方向6:大尺寸高温超导薄膜生长技术及其应用器件研究

  研究目标:研究高温超导薄膜磁控溅射法生长技术(尺寸≥2英寸、厚度5-70nm、表面粗糙度≤2nm、JC≥2 MA/cm2@77K),制备高温超导SQUID器件(噪声≤50 fT/Hz1/2)并测试验证。

  研究内容:研究高温超导薄膜磁控溅射生长工艺及薄膜品质的构效关系,揭示薄膜物性与超导电子器件性能之间的关联,进而研制高温超导量子干涉器件,并开展物探测试验证。

  经费额度:非定额资助,拟支持不超过1个项目,资助额度不超过200万元。

  执行期限:2024年12月1日至2026年11月30日。

  方向7:面向镁合金形变热处理的高温超导应用技术研究

  研究目标:面向航天装备轻量化需求,开发基于3T高温超导磁感应的镁合金快速均匀热输入装置,研究高温超导形变热处理技术,制备大尺寸高性能镁合金锻件。

  研究内容:优化大体积镁合金的均匀快速热输入装置设计,调控高温超导强磁场环境,研究微观组织结构形成与演化规律及其对力学性能的作用机制,研制直径>800mm、抗拉强度>450MPa的高性能镁合金锻件。

  经费额度:非定额资助,拟支持不超过1个项目,资助额度不超过200万元。

  执行期限:2024年12月1日至2026年11月30日。

二、申报方式

1.项目采用网上申报方式,无需送交纸质材料。申请人通过“中国上海”门户网站(http://www.sh.gov.cn)--政务服务--点击“上海市财政科技投入信息管理平台”进入申报页面,或者直接通过域名http://czkj.sheic.org.cn/进入申报页面:

【初次填写】使用申报账号登录系统,转入申报指南页面,点击相应的指南专题后,按提示完成“上海科技”用户账号绑定,再进行项目申报(我校学校代码为42502641-7);

【继续填写】登录已注册申报账号、密码后继续该项目的填报。

有关操作可参阅在线帮助。

2.项目网上填报起始时间为2024年9月25日9:00,校内申报截止时间为为2024年10月15日11:30。

科研处

2024年9月14日

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